台积电确认苹果M1 Ultra采用InFO-LSI封装,将两片M1 Max连接到一起
IT之家4月28日消息,台积在M1Ultra官方发布会上,电确介绍其MacStudio中的认苹M1Ultra时表示,这是封装最强大的定制AppleSilicon,它使用UltraFusion芯片对芯片互连技术,将两接从而实现了2.5TB/s的台积带宽。
从介绍来看,电确这涉及到两个M1Max芯片协同工作的认苹问题。现已证实,封装苹果M1Ultra芯片其实并未采用传统的将两接 CoWoS-S2.5D封装生产,而是台积使用了本地的芯片互连(LSI)的集成InFO(IntegratedFan-out)芯片。
IT之家了解到,电确苹果最新的认苹M1系列产品基于台积电5nm工艺技术,但之前有媒体称其通用采用了台积电 CoWoS-S(chip-on-wafer-onsubstratewithsiliconinterposer)封装工艺。封装当然,将两接台积电在使用其CoWoS封装平台为网络IC和超大AI芯片等多种芯片解决方案供应商提供服务方面拥有丰富经验,而且台积电还一直在使用先进工艺和InFO_PoP技术制造iPhone芯片。
实际上有很多种可以将芯片组桥接进行相互通信,但台积电的InFO_LI可以降低成本。半导体封装工程专业人士TomWassick放出了一张台积电在3DIC和异构集成国际研讨会上呈现的 PPT,阐明了其封装方法,显示苹果这次使用了InFO_LI技术。
总的来说,CoWoS-S是一种非常不错的方法,但要比InFO_LI更贵。除了这一点之外,Apple没必要选择CoWoS-S,毕竟M1Ultra只需要完成两个M1Max芯片的相互通信,而所有其他组件,包括统一的RAM、GPU和其他组件都是芯片中的一部分,因此,除非M1Ultra改用信新型多芯片设计和更快的内存(如HBM),否则InFO_LI对 Apple来说就是更好的选择。
具体而言,InFO-LSI技术需要将一个本地LSI(siliconinterconnection)与一个重分布层RDL(redistributionlayer)相关联。与CoWoS-S相比,InFO-LSI的主要优势在于其较低的成本。
CoWos-S需要用到大量完全由硅制成的大型中介层,因此成本非常昂贵;但InFO_LI凑合着用了本地化的芯片互连技术,总的来说没什么太大影响。
值得一提的是,彭博社MarkGurman称,苹果新一代MacPro已经准备就绪,它将搭载一款更强的芯片,也就是 M1Ultra的“继任者”。据称,这款产品的代号为J180,此前的信息暗示,这款产品将采用台积电的下一代4nm工艺量产,而不是目前的5nm工艺。
有传言称,新的苹果芯片将具有两个M1Ultra 相结合(4个 M1Max)。Gurman早些时候表示,这款工作站将采用定制的芯片,最多可支持40核CPU和128核GPU,性能值得期待,定价同样美丽。
(责任编辑:探索)
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